Neden önemli: Çok uzun bir süre boyunca bellek ve depolama, bir bilgisayar cihazının ayrı parçaları olarak işlev gördü. Üreticiler, RAM ve NAND'ın avantajlarını tek bir pakette birleştirmeye çalıştı, ancak sınırlı bir başarı elde etti. UltraRAM adı verilen yeni bir kalıcı bellek türü potansiyel gösteriyor, ancak ticari bir ürüne entegre edilmesi biraz zaman alacak.

Rastgele erişim belleği (RAM) ve depolamayı birleştirmek yeni bir fikir değil, ancak şimdiye kadar hiçbir şirket bu konsepti başarılı ve yaygın olarak kullanılan bir ticari ürüne dönüştürmeyi başaramadı. Ancak bu, bu konuyla ilgili araştırmaların soğuduğu anlamına gelmez.

Bu ayın başlarında, İngiltere'deki Lancaster Üniversitesi Fizik ve Mühendislik Bölümü'ndeki araştırmacılar, UltraRAM'ı seri üretime yaklaştırmada kaydedilen önemli ilerlemeyi detaylandıran bir makale yayınladılar.

UltraRAM, “flash bellek gibi veri depolama belleğinin uçucu olmamasını, DRAM gibi çalışan belleğin hızı, enerji verimliliği ve dayanıklılığı ile birleştiren” bir bellek teknolojisi olarak tanımlanmaktadır. Bu size tanıdık geliyorsa, bunun nedeni Intel'in Optane ile DRAM ve flash depolama arasındaki köprüyü kurmaya çalışmış ancak sınırlı bir başarı elde etmiş olmasıdır. Samsung'un Z-NAND adında bir özelliği var ve Kioxia ve Western Digital ayrıca XL-FLASH'i gelecekteki tüketici ve kurumsal depolama çözümlerine entegre etmek istiyor.

UltraRAM yapmak için kullanılan malzemeler, LED'ler, lazerler, fotodiyotlar ve fototransistörler gibi optoelektronik cihazlarda kullanılan bileşik yarı iletkenlerin aynısıdır. Bu ürünün arkasındaki bilim adamları tarafından yapılan en son atılım, 1000 kata kadar daha büyük olabilen galyum arsenit gofretlerin aksine silikon substratlar üzerine inşa edildiğinde performansını artırmak olmuştur.

Bu, UltraRAM'ın uygun maliyetli bir bellek çözümü olma potansiyeline sahip olduğu anlamına gelir. Bilim adamları, test ettikleri cihazların prototiplerinin 1.000 yıllık veri saklama ve 10 milyonun üzerinde program/silme döngüsünde "bozulmadan dayanıklılık" sağlayabileceğini söylüyor. Tek başına ikinci rakamın, özellikle geleneksel RAM kadar hızlı olabildiğinde, teknoloji şirketlerinde ilgi uyandırması muhtemeldir.

Bu yeni teknolojinin bir başka avantajı, bir voltaj uygulandığında bir bariyerin opaktan şeffafa geçmesine izin vermek için rezonans tünelleme etkisinin kuantum mekanik etkisinden yararlanmasıdır. Bu işlem, RAM ve flash depolamada kullanılan anahtarlama teknolojilerine kıyasla çok enerji verimlidir, bu nedenle pil gücüyle kullanıldığında daha uzun süre dayanan daha iyi mobil cihazlara yol açabilir.

Aynı süreç, teorik olarak üreticilerin tek bir yongaya daha fazla bellek kapasitesi sığdırmasına izin vermesi gereken yüksek bit yoğunluğuna sahip çok kompakt bir mimariye izin verir. Lancaster Üniversitesi araştırmacıları, hala bellek hücreleri yapma sürecini iyileştirmeleri gerektiğini söylediler, ancak yine de, veriler arasında gidip gelme ihtiyacını ortadan kaldıracağı için bellek içi hesaplama için büyük potansiyele sahip ilginç bir teknoloji. bir cihazın işlemcisi, belleği ve kalıcı depolama alanı.